化学机械抛光（CMP）车间

照明受限的光刻车间

一块光刻掩膜，光刻过程简单的说就是将这块掩膜上图案“缩印”到晶圆上。

光刻过程中的“校准”

实时缺陷监测（RDA）

FOUP片盒中的300mm晶圆

PCper记者手持一片25nm工艺300mm晶圆，总容量超过2TB。