840系列是三星面向低端入门级市场推出的固态硬盘，虽然用了很多人“不齿”的TLC NAND闪存，但因为价格便宜、性能过得去而广受欢迎，装机点名率非常高，而且事实证明，TLC闪存并没有那么不靠谱，128GB型号在典型负载下都可以使用超过11年。

现在，三星又推出了它的继任者840 EVO，规格、性能全面增强，价格也依然足够低廉，能否延续神话呢？AnandTech近日就对其做了一个非常深入的评测，而且一下子就凑齐了全部五款型号。

【840 EVO规格简析】

840 EVO使用的是1xnm新工艺的TLC，确切地说是19nm(待官方确认)，乍一看相比上代的21nm进步并不大，而且依然是单颗Die容量最大128Gb(16GB)、页面尺寸8KB，只不过每个区块的页面数量从192增至256。

这种闪存每颗能封装最多八个Die，也就是单颗容量最大为128GB。

可靠性上，编程/擦写循环次数还是1000-3000，确实不多，但对付普通应用足够。

IMFT(Intel/美光)、三星NAND闪存对比表

840 EVO的主控是第五代MEX，本质上还是三核心的Cortex-R4处理器，只不过频率从300MHz提升到400MHz，并且引入了SATA 3.1(就像闪迪Extreme II)，可以支持队列TRIM指令。

它还支持AES-256硬件加密，并且已将PSID加密信息印在了每块硬盘表面的标签上，可以在丢失密钥后很方便地解锁，但数据就全没了。

三星还计划在9月份发布更新固件，升级支持TCG Opal、微软eDrive规范，从而在安全加密上媲美美光M500——它也是TLC。

而作为全球顶级的DRAM厂商，三星毫不吝啬地给840 EVO系列配备了大容量的LPDDR2-1066 DRAM缓存，120GB 256MB、250/500GB 512MB、750GB/1TB 1GB。其实没必要搞这么大，比如说512MB缓存对于250GB硬盘来说就太浪费了。

840 EVO规格表

840系列以低价取胜，840 EVO也会延续这一传统，不过官方标价比840目前的实际售价稍贵一些，这自然可以理解，大规模上市后肯定会更亲民。

三星表示，840 EVO将在8月初进入零售渠道。

固态硬盘价格对比表(数据来自美国亚马逊)

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