DRAM内存速度快、延迟低，但是掉电就会丢失数据，机械、固态存储则正好相反，所以一直以来都是泾渭分明，而现在，有一种技术意欲通吃两大领域，这就是Intel 3D XPoint。

这是一种基于电阻的非易失性内存存储方案，读取延迟10纳秒级别，使用寿命即全盘写入1000万次级别，均介于传统DRAM、NAND之间。它的定位并不是取代DRAM和/或NAND，而是在它们之外的补充。

非易失性技术方案很多，Intel 3D XPoint是第一个完整成熟起来并快速投入商用化的。IDF 2015峰会上，Intel昨天已经宣布了基于该技术的Optane固态硬盘，将会从今年底开始陆续进入数据中心和笔记本，提供M.2、U.2、PCI-E等多种规格，比传统固态硬盘快足足5-7倍，更具体的规格将在稍后公布。

今天，Intel又宣布了同样基于3D XPoint技术的DIMM内存条，号称可比传统DDR内存提供最多4倍的高容量、最低1/2的成本，而且接口和电气特性兼容现有DDR4，可平滑过渡。

这也是历史上第一次将非易失性技术应用于系统主内存。

3D XPoint DIMM内存主要面向数据中心、大数据分析，具体发布时间未公布。

以后，我们的内存、硬盘都可以是同一种介质了。