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我国著名微电子学家陈星弼院士去世：里程碑发明

2019-12-05 02:04:51 出处：快科技作者：上方文Q编辑：上方文Q 评论(0)

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据中科院消息，2019年12月4日17时10分，“中国功率器件领路人”陈星弼在四川成都逝世，享年89岁。

陈星弼，半导体器件及微电子学专家，中国科学院院士，电子科技大学教授、博士生导师，中国电子学会会员，美国IEEE高级终身会员。

1931年1月28日出生于上海，1952年毕业于国立同济大学电机系，先后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作，1956年开始在电子科技大学任教，1980年美国俄亥俄州大学作访问学者，1981年加州大学伯克莱分校作访问学者、研究工程师，1983年任电子科技大学微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长1999年当选中国科学院院士。

陈星弼是国际半导体界著名的超结结构(Super Junction)的发明人，该发明被称为“功率器件的新里程碑”。

2018年，在功率半导体领域最顶级的学术年会上，陈星弼院士入选ISPSD首届名人堂，这是国内首位获此殊荣的华人科学家。