三、性能：天玑9000连续跑分秒杀骁龙 持续性能释放更稳定

Redmi K50 Pro搭载了联发科最新的旗舰处理器天玑9000，在之前的首测中，我们已经了解了这颗处理器的大致样貌：CPU性能更强，GPU跑分稍弱但实际表现丝毫不差，整体性能更强，但发热并没有明显的改善。

Redmi K50 Pro为了这颗旗舰新芯，也做了不少的准备。面积高达3950mm²的超大面积不锈钢VC，以及独有的核心调度，更强的散热规格说不准可以进一步增强天玑9000的性能。

让我们来看看它在Redmi K50 Pro上的实际表现。

——跑分软件测试

1、Geekbench

首先是CPU性能测试，在Geekbench 5中，Redmi K50 Pro所搭载的天玑9000比之前又强了不少，单核强了约1%，多核更是强了近10%，可见更好的散热对于多核性能的发挥确实有改善。

2、GFXbench

GPU性能方面， Redmi K50 Pro的跑分跟之前测试的表现相近，性能介于满血的骁龙888和满血骁龙8之间。

3、Androbench

测试闪存，连续读取速度为1891.7 MB/s，符合UFS 3.1闪充的表现。

4、安兔兔综合测试

安兔兔跑分综合测试，Redmi K50 Pro也成功进入了百万俱乐部，总分1019428分。

此外，我们还做了多轮安兔兔跑分，来看看天玑9000在持续性能释放上有何优势。

使用同配置的骁龙8旗舰，在同等环境下一起来跑安兔兔综合测试。经过五轮测试后，骁龙8机型的分数明显下降，而天玑9000虽有下降，但依然坚挺。

由于两款机型都是开启了性能模式进行测试，在进行了五轮跑分后，都会提示过热，无法继续进行。

虽然提示过热，但是机身背面的温度其实还好。骁龙8机型SOC区域为45.2℃，Redmi K50 Pro为44.2℃，触发温度保护，可见内部温度较高，积热都是这两款芯片比较头疼的问题。

Redmi K50 Pro的天玑9000采用4nm制程，发热虽然较小，但在被动散热的设计下依然无法避免过热的问题。

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