三星3nm准备投产 中国厂商的矿机芯片首个用上
最近媒体铺天盖地报道三星的3nm将要投产,而且是划时代的GAA(环绕栅极)晶体管。“到底是骡子是马”还不好下判断,也许是4nm翻车让三星痛定思痛,加快了进度;也有可能是公关障眼法。
在TheElec最新报道提到,三星最快本周开始试产3nm工艺,第一个客户来自中国矿机芯片厂商,名为PanSemi。
这似乎表明,PanSemi资金雄厚且胆子挺大,毕竟三星3nm初期产能很低。
企查查工商信息显示,PanSemi实为上海磐矽半导体技术有限公司,2016年才成立,实缴注册资本4500万。遗憾的是,该公司其它资料不多,官网十分简陋,公布的企业参保人数也仅有3人。
回到3nm本身,按照三星的说法,与7nm制造工艺相比,3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上,功耗降低了50%,性能提高了约35%。相较于目前应用在5nm、7nm上最先进成熟的FinFET晶体管,GAA可以更精确地控制电流、栅极宽度也更窄。
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