DDR6内存首曝：容量、性能大增
当下，DDR5内存还远未到要主流普及的程度。不过，DRAM内存芯片的头部厂商们已经着手DDR6研制了。
日前在韩国水原举办的一场研讨会上，三星测试与系统封装副总裁Younggwan Ko表示，为适配半导体存储产品的性能的增长，封装技术必须不断进步。
会上，他明确，在DDR6内存芯片的开发中，三星将使用MSAP，也就是改良型半加成工艺(Modified semi-additive process)。
资料显示，MSAP起初应用于IC载板高精密线路制作，技法是首先在附有超薄底铜的基板上贴合干膜使用正片进行图形转移，再通过图形电镀加成形成线路，最后去除干膜和底铜完成高精密布线，以实现提升PCB的高频高速性能。
和当前三星使用的隆起法相比，MSAP在空白部分也要镀层。
Ko指出，DDR6的存储容量和处理速度将大幅增加，需要更多的堆叠层数，对封装技术来说既是机遇也是挑战。
另外，Ko也坦言，友商已经先于自己在DDR5颗粒上使用MSAP技术了。
事实上，虽然出货上仍旧是DRAM龙头老大，但三星在技术开发上的确出现落后，抛开上文的MSAP，1a DRAM芯片量产进度也不及SK海力士和美光。
值得一提的是，根据早先爆料，DDR6内存的频率预计在12~17GHz，问世起码还要5年时间。
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