之前传闻显示，RTX 40系列将采用台积电4nm制造工艺，而在正式发布的时候，官方标注为“4N”，和台积电说的“N4”正好反过来。这是什么鬼？

我们的第一反应，是这属于定制版的台积电4nm，结果只猜对了一半。

根据快科技了解，4N工艺确实是NVIDIA与台积电定制的，但并非4nm，而是5nm，所以完整说法应该是台积电4N 5nm工艺。

这也再次证明，台积电的4nm、5nm工艺并无本质区别，前者主要是提高了晶体管集成度。当然了，总要比RTX 30系列的三星N8 8nm强太多了。

按照黄仁勋的说法，凭借新的架构和工艺，RTX 40系列的能效是RTX 30系列的两倍。

数据显示，Ada Lovelace架构的大核心AD102集成了763亿个晶体管，核心面积608.4平方毫米，密度为1.255亿个/平方毫米，内置18176个CUDA核心、142个第三代光追核心、568个第四代张量核心。

相比之下，三星8nm Ampere GA102核心是283亿个晶体管、628平方毫米，密度为4510万个/平方毫米。

换言之，台积电4N的集成密度是三星N8的足足2.8倍！

(还是有厂商误写作4nm)